[发明专利]在无源电子元件衬底上形成划线的方法

摘要

一种形成具有尖锐断裂线(44)的划线(36)的方法，包括沿着陶瓷或类似陶瓷的衬底(10)引导UV激光束(14)，从而除去衬底(10)的厚度(24)的一部分。所述UV激光束在所述衬底中形成划线而不会使衬底发生明显的熔融，因而清晰确定的断裂线形成高应力集中区，该集中区延伸到衬底厚度内。因此，多个深度方向的裂纹会响应于施加到所述沟槽任一侧的分裂力，从而向所述高应力集中区中衬底的厚度方向延伸传播，使所述衬底整洁地分裂成单独的电路元件。这个集中区的形成便于以更高的精确度分裂所述衬底，同时在施加分裂力的期间和施加分裂力之后保持每个电路元件衬底内部结构的完整性。

主权项

1.一种在无源电子元件衬底上形成划线的方法，该划线便于将所述衬底分裂成单独的小片，该小片具有的侧缘是由所述划线确定的，所述衬底具有厚度和表面，在所述衬底表面上形成了多个名义上相同的、互相分开的电子元件的图案，所述电子元件被行距隔开，所述划线沿着所述行距形成，以使所述衬底分裂产生的单独的小片包括单独的电路元件，所述方法包括：将紫外线激光束对准所述衬底表面上所述行距中的一个，所述激光束的特征由能量和光斑尺寸来体现；使所述激光束和所述衬底之间发生相对运动，以使所述激光束沿着所述行距在长度方向上被引导，从而在深度方向上除去衬底材料形成沟槽，所述紫外线激光束的能量和光斑尺寸可以在深度方向上除去材料而不会使衬底材料发生明显的熔融，以便在衬底材料中形成的所述沟槽具有宽度，该宽度从所述表面汇聚到沟槽底部形成尖锐或陡峭的断裂线；和所述沟槽的形状形成高应力集中区域，该区域沿着所述断裂线延伸并延伸到所述衬底厚度方向内，多个深度方向的裂纹会响应于施加到所述沟槽任一侧的分裂力，从而向所述高应力集中区中所述衬底的厚度方向延伸传播，使所述衬底整洁地分裂成单独的电路元件，该电路元件的侧缘是由所述断裂线确定的。