[发明专利]集成电路技术中极均匀的硅化物有效
| 申请号： | 200480019688.2 | 申请日： | 2004-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1820356A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | R·J·基乌;J·P·巴顿;P·R·贝塞尔;M·V·努 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路(100)的结构及其形成方法(900)。栅极电介质(104)形成在半导体衬底(102)上，而栅极(106)形成在半导体衬底(102)上的栅极电介质(104)上面。源极/漏极结(504/506)形成在半导体衬底(102)中。极均匀的硅化物(604/608)形成在源极/漏极结(504/506)上，而介电层(702)沉积在半导体衬底(102)的上面。然后在介电层(702)中形成至极均匀硅化物(604/606/608)的接触(802/804/806)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 技术 中极 均匀 硅化物 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路的方法(900)，包括：提供半导体衬底(102)；在所述半导体衬底(102)上形成栅极电介质(104)；在所述栅极(106)电介质上形成栅极(106)；在所述半导体衬底(102)内形成源极/漏极结(504/506)；在所述源极/漏极结(504/506)上形成极均匀的硅化物(604/608)；在所述半导体衬底(102)上沉积介电层(702)；以及在所述介电层(702)中形成至所述极均匀的硅化物(604/608/606)的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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