[发明专利]一种半导体器件的制造方法及在这种方法中使用的装置无效
| 申请号： | 200480019591.1 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1820350A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 英格丽德·A·林克;赖诺尔德斯·B·M·弗罗姆 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件(10)的制造方法，该半导体器件(10)具有衬底(1)和包含至少一个半导体元件的半导体主体(11)，其中，在该元件形成后，形成一个分层的结构，该分层的结构包含至少一个电绝缘层(2)或一个导电层(3)，其中，借助于图案化的光刻胶层(4)和刻蚀工艺在层结构中形成孔，其中，在刻蚀工艺过程中，在半导体主体(11)的表面上形成残留物，并且其中，在刻蚀工艺之后，通过利用含氧化合物的处理，光刻胶层(4)被灰化，之后，该表面接受利用包含用水稀释的酸溶液并加热到高于室温的温度的清洗剂的清洗操作，从而导致形成的残留物被去除。根据本发明，选择硫酸作为用于清洗剂的酸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 这种方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制造具有衬底(1)和包含至少一个有源半导体元件的半导体主体(11)的半导体器件(10)的方法，其中，在该半导体元件形成后，设置一个分层的结构，该分层的结构包含至少一个电绝缘层(2)或一个导电层(3)，其中，通过图案化的光刻胶层(4)和刻蚀工艺在该分层的结构中形成孔，其中，在所述刻蚀工艺过程中，在所述半导体主体(11)的表面形成残留物(6)，其中，在所述刻蚀工艺之后，借助于利用含氧化合物的处理，所述光刻胶层(4)被灰化，之后，利用包含以水稀释的酸溶液且被加热到高于室温的温度的清洗剂来清洗所述半导体主体(11)的表面，其结果，形成的所述残留物(6)从该表面去除，其特征在于：选择硫酸用于该清洗剂中的酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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