[发明专利]静态存储器单元结构和电路无效
| 申请号： | 200480018909.4 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1816882A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 松炯－都克 | 申请（专利权）人： | 兹莫斯技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于减少泄漏电流和/或提高器件的速度的SRAM电路结构和方法。可利用如单端口和双端口RAM器件的技术来制造各种形式的SRAM器件。通过示例的方式，SRAM结构采用分离的写和读线，将该电路分为可以受益于具有不同门限电平的部分，而且可将连接到第一端的读通路晶体管与连接到源晶体管的虚拟节点分开。该结构特别适于以NMOS和PMOS的组合方式或者仅以NMOS方式形成晶体管。根据本发明，可以许多不同的分布式或者集总式设置，利用被共享或者专用的基准读通路和感测块来组织存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 存储器 单元 结构 电路 | ||
【主权项】：
1.一种提供静态随机存取的存储器器件，包括：静态存储器单元结构，具有多个数据锁存器；以及多个功能块，位于所述单元结构内，所述块包括至少读、写和存储块；其中所述读块或写块或者二者配置有低于所述存储功能块的门限电压。
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