[发明专利]化学机械抛光(CMP)贵金属无效
| 申请号： | 200480018455.0 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1813038A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 弗朗切斯科·德雷杰特萨乌罗;弗拉斯塔·布鲁西奇;本杰明·P·拜尔 | 申请（专利权）人： | 卡博特微电子公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种抛光一衬底的方法，其包含：(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学－机械抛光系统接触，所述系统包含(a)抛光组分、(b)氧化剂和(c)液体载剂；和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。所述抛光组分是选自由研磨剂、抛光垫或其组合组成的群组，并且所述氧化剂是选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机－卤－氧基化合物、其盐和其组合组成的群组。所述化学－机械抛光系统具有9或9以下的pH值，并且所述氧化剂不会产生大量的元素卤素。本发明也提供一种使用上述抛光系统来抛光一包含一贵金属层和一第二层的衬底的方法，所述抛光系统进一步包含一中止化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 cmp 贵金属 | ||
【主权项】：
1.一种抛光一衬底的方法，其包含：(i)将一包含一贵金属层的衬底与一化学-机械抛光系统接触，所述系统包含：(a)一抛光组分，其选自由一研磨剂、一抛光垫或其组合组成的群组；(b)一氧化剂，其选自由溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐、氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐、碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐、过氧乙酸、有机-卤-氧基化合物、其盐和其组合组成的群组；和(c)一液体载剂，其中所述化学-机械抛光系统具有9或9以下的pH值，而且其中所述氧化剂不会产生大量的元素卤素；和(ii)研磨所述贵金属层的至少一部分以抛光所述衬底。
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