[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200480018393.3 | 申请日： | 2004-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1820377A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金成在 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种发光二极管(LED)及其制造方法，其能够通过形成含有低浓度铟的InGaN层而改善亮度，所述InGaN层的晶格常数类似于所述LED的活性层的晶格常数。所述LED包括：置于蓝宝石衬底上的缓冲层；置于所述缓冲层上的GaN层；置于所述GaN层上的掺杂GaN层；置于所述GaN层上的含铟GaN层；置于所述含铟GaN层上的活性层；和置于所述活性层上的P型GaN。此处，含铟GaN层的经验式以In(x)Ga(1－x)N给出并且x的范围以0＜x＜2给出，所述含铟GaN层的厚度是50－200。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED，包括：置于蓝宝石衬底上的缓冲层；置于所述缓冲层上的GaN层；置于所述GaN层上的N型GaN层；置于所述N型GaN层上的含铟GaN层；置于所述含铟GaN层上的活性层；和置于所述活性层上的P型GaN层。
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