[发明专利]离子注入系统中用于等离子体发生的薄磁控管结构有效
| 申请号： | 200480017294.3 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1809910A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | V·班威尼斯特;W·迪佛吉利欧;B·梵德伯格 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲;胡强 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器被披露且置于可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统内。所述等离子体发生器包括可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统和可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统，其中所述磁场垂直于所述电场。所述等离子体发生器进一步包括可操作以将气体引入由所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源。所述区域中的电子分别由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动，且至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化，由此在所述区域中产生等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 系统 用于 等离子体 发生 薄磁控管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器，包括：可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统；可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统，所述电场具有沿第一方向取向的部分；可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统，所述磁场具有沿垂直于所述第一方向的第二方向取向的部分；和可操作以将气体引入所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源，其中所述区域中的电子由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动，且其中至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化，由此在与所述射束线路径的所述部分相关联的所述区域中产生等离子体。
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