[发明专利]平面聚合物存储器件

摘要

本发明提供一种能够作为非易失性存储器件工作的平面聚合物存储器件(100)。能够以两个或更多个电极以及与一个电极相关的电极延伸部分来形成平面聚合物存储器件(100)，其中，选择性导电介质及电介质隔离电极。形成平面聚合物存储器件(100)的方法包括以下步骤中的至少一个步骤：形成具有相关的插塞的第一电极(125)，形成第二电极(140)，在延伸部分之上形成钝化层(130)，沉积有机聚合物以及图案化该有机聚合物(115)。该方法可将平面聚合物存储器件集成到半导体工艺中。平面聚合物存储器件(100)可进一步采用薄膜二极管(TFD)，以协助编程。TFD可形成在第一电极(125)与选择性导电介质之间或在第二电极(140)与选择性导电介质之间。

主权项

1.一种平面有机存储器件(100)，包含：用以储存信息的有机半导体层(115)；与所述有机半导体层(115)配合起作用以协助储存信息的钝化层(130)；用以存取所述有机半导体层(115)的第一电极(125)及第二电极(140)，而所述有机半导体层(115)位于所述第一电极(125)及所述第二电极(140)之上；所述层至少以下列方式中的一种方式来配置：以水平的方式堆叠，以平行构形配置，在各层间以垂直的方式配置，与至少其它一层呈对角方式配置，以及交叉而使得一层的一部分突出到一个或多个其它层中。