[发明专利]HDP－CVD多步间隙填充处理

摘要

提供了一种利用HDP－CVD沉积、刻蚀和沉积步骤的循环进行的间隙填充处理。第一沉积步骤期间的流动气体包括诸如He之类的惰性气体，剩余部分沉积步骤期间的流动气体包括H₂。第一沉积步骤期间流动气体的较高平均分子量在限定间隙的结构上提供了某些尖头，以在刻蚀步骤期间保护这些结构。剩余部分沉积步骤期间流动气体的较低平均分子量减少了溅射特性，并且可以有效地填充间隙的剩余部分。

主权项

1.一种用于沉积膜以填充衬底表面中的间隙的方法，所述方法包括：使用第一气体混合物在高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)处理中在所述间隙中沉积所述膜的第一部分，所述第一气体混合物包括含硅气体、含氧气体和第一流动气体；其后，以含氟气体刻蚀所述膜；以及其后，使用剩余部分气体混合物在HDP-CVD处理中在所述间隙中沉积所述膜的剩余部分，所述剩余部分气体混合物包括含硅气体、含氧气体和第二流动气体，其中所述第二流动气体的平均分子量比所述第一流动气体小。