[发明专利]使用机器学习系统的对在半导体晶片上形成的结构的光学计量无效
申请号: | 200480014975.4 | 申请日: | 2004-06-25 |
公开(公告)号: | CN1799045A | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
发明(设计)人: | 斯里尼瓦斯·多迪;埃曼努埃尔·德勒热;尼克希尔·贾卡达;鲍君威 | 申请(专利权)人: | 音质技术公司 |
主分类号: | G06F15/18 | 分类号: | G06F15/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 岳耀锋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种使用机器学习系统的对在半导体晶片上形成的结构的光学计量,通过得到用计量装置测量的第一衍射信号,检测在半导体晶片上形成的结构。通过使用机器学习系统产生第二衍射信号,其中,机器学习系统接收一个或更多个表征结构的剖面的参数作为输入,以产生第二衍射信号。比较第一和第二衍射信号。当第一和第二衍射信号在匹配准则内匹配时,基于由机器学习系统使用以产生第二衍射信号的一个或更多个参数或剖面确定结构的特征。 | ||
搜索关键词: | 使用 机器 学习 系统 半导体 晶片 形成 结构 光学 计量 | ||
【主权项】:
1.一种检测在半导体晶片上形成的结构的方法,包括以下步骤:得到用计量装置测量的第一衍射信号;得到用机器学习系统产生的第二衍射信号,其中,所述机器学习系统接收一个或更多个表征所述结构的剖面的参数作为输入,以产生所述第二衍射信号;比较所述第一和第二衍射信号;和当所述第一和第二衍射信号在匹配准则内匹配时,基于由所述机器学习系统使用以产生所述第二衍射信号的所述一个或更多个参数或所述剖面确定所述结构的特征。
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