[发明专利]图案曝光中焦点偏移量的测量方法及图案曝光方法无效
申请号: | 200480014864.3 | 申请日: | 2004-05-28 |
公开(公告)号: | CN1799122A | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
发明(设计)人: | 福本博文;氏丸直彦;旭宪一;岩本文男 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 用不同的焦距值在第1基板上曝光形成多组包括由抗蚀剂膜构成的预定形状的凸图案和具有形状与上述凸图案相对应的间隙的凹图案的第1测量图案,测量上述多组第1测量图案的边缘倾斜量,根据上述边缘倾斜量与上述焦距值的对应关系(7)、(14)求出上述边缘倾斜量的焦距依存性(17)。在第2基板上形成包括上述凸图案和上述凹图案的第2测量图案,测量上述第2测量图案的边缘倾斜量,根据上述边缘倾斜量的焦距依存性从上述第2测量图案的边缘倾斜量算出上述第2测量图案曝光时焦距偏离最佳焦距的量。将上述凸图案和上述凹图案的间隙尺寸设定为不同的值,使各图案曝光时的最佳焦距值接近。 | ||
搜索关键词: | 图案 曝光 焦点 偏移 测量方法 方法 | ||
【主权项】:
1.一种焦距偏移量的测量方法,在第1基板上形成多组第1测量图案,使曝光时的焦距值不同,该第1测量图案包括由抗蚀剂膜构成的预定形状的凸图案和具有形状与上述凸图案相对应的间隙的凹图案;测量上述多个第1测量图案中的上述凸图案和上述凹图案的边缘倾斜量;根据测量到的多个上述边缘倾斜量与多个上述焦距值的对应关系,求出边缘倾斜量的焦距值依存性,所述边缘倾斜量焦距值依存性作为表示上述边缘倾斜量随曝光时的焦距值变化而变化的特性;在第2基板上形成包括上述凸图案和上述凹图案的第2测量图案,并测量上述第2测量图案中的上述凸图案和上述凹图案的边缘倾斜量;根据上述边缘倾斜量的焦距依存性,由测量上述第2测量图案而得到的边缘倾斜量算出上述第2测量图案曝光时的与最佳焦距的焦距偏移量;其特征在于,将上述凸图案和上述凹图案的间隙尺寸设定为不同,以使各图案曝光时的最佳焦距值接近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造