[发明专利]穿通二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200480014384.7 | 申请日： | 2004-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1795564A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | H·－M·里特;M·吕布;J·怀南茨 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有肖特基类似特性的单片集成穿通二极管。这通过将肖特基金属区域(116)淀积在第一p掺杂阱(9)的至少部分表面上来实现。该肖特基金属区域(16)和p掺杂阱(9)形成肖特基二极管的金属半导体过渡。将本发明的PT二极管的过电压保护改进为具有小于0.5V的电压降的正向特性。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现为基于硅片或芯片的单片集成电路的穿通二极管，其包括覆盖有n掺杂外延层(8)的n+掺杂衬底(7)；注入到n掺杂外延层(8)中的第一p阱(9)和第二p阱(10)，在这两个阱之间具有一定间距；穿过n掺杂外延层(8)并且进入到n+衬底(7)中的n阱(11)；与第一和第二p掺杂阱(9，10)都连接的第一p+掺杂阱(13)；在第一和第二n掺杂阱(9，10)之间的n外延层(8)上并且与氧化层(17)的边缘相交叠的多晶硅区域(14)；其特征在于：将肖特基金属区域(16)淀积在至少部分第一p掺杂阱(9)的表面上，由此形成金属(16)半导体(9)过渡，并且将第二p+掺杂阱(12)注入到第一p掺杂阱(9)中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480014384.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种正交频分复用系统的盲信道估计方法
- 下一篇：无线通信终端的内置型天线组件
- 同类专利
- 专利分类
