[发明专利]半导体结构中元件间的空隙作为隔离的用途有效
| 申请号： | 200480013991.1 | 申请日： | 2004-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1791974A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈健;东谷正昭 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成具有相邻电荷存储元件的快闪EEPROM或其它类型的存储单元阵列，这些相邻电荷存储元件之间具有充气空隙，以便降低存储元件之间的电容耦合程度，进而降低电荷存储元件之间的交叉耦合，并减少从该阵列中读取的数据内存在的产生误差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 元件 空隙 作为 隔离 用途 | ||
【主权项】：
1.一种形成于一半导体衬底上的非易失性存储单元阵列，其包含：由所述衬底承载的一电荷存储元件阵列；多条导电性控制栅极线，其沿横跨所述电荷存储元件的一第一方向延伸，并沿一第二方向间隔开，其间隔距离等于所述电荷存储元件沿所述第二方向的一间隔距离，所述第一方向和所述第二方向彼此正交，其中包括至少所述电荷存储元件和所述控制栅极的分层结构沿所述第二方向间隔开，其间隔距离小于所述分层结构的厚度的五分之一；和沿所述第二方向位于所述分层结构之间的介质材料，其填充所述分层结构之间的空间的顶部部分，同时在所述分层结构的各相邻电荷存储元件之间留下空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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