[发明专利]通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件无效
| 申请号： | 200480013908.0 | 申请日： | 2004-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1791966A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | B·博蒙;J－P·福里;P·吉巴尔特 | 申请（专利权）人： | 卢米洛格股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B29/40;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 使用多个步骤通过外延横向过生长来生长氮化镓衬底。在具有开口区的被掩盖衬底上，选择性生长产生了第一三角形条纹，其中大多数螺位错弯曲了90°。在第二步骤中，改变生长条件以提高横向生长速率并产生平坦的(0001)表面。在该阶段，表面上的位错密度＜5×107cm－2。位错主要位于一起夹断的两个横向生长面之间的聚合区。为了进一步降低位错密度，完成第二掩盖步骤，开口正好位于第一开口上方。聚合区的螺位错(TDs)不在顶层扩展。因此在整个表面上位错密度降到＜1×107cm－2之下。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 掩模用 横向 生长 制备 氮化 衬底 以及 由此 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制备氮化镓(GaN)外延层的过程，包括：-在衬底上沉积GaN层，-沉积具有多个第一开口形成图案的第一掩模，-在外延条件下在所述掩模上第一再生长氮化镓层，-第二再生长氮化镓，用掺杂剂作为横向生长相对于垂直生长的增强剂，以便引发氮化镓特征的沉积和所述特征的各向异性生长及横向生长，-沉积具有多个第二开口的第二掩模，正好在第一个的上方形成与第一开口相同的图案，倘若第一开口图案的间距正好等于第二开口的间距或正好是第二开口间距的两倍，-在外延条件下在第二掩模上第三再生长氮化镓层，-第四再生长氮化镓，用掺杂剂作为横向生长相对于垂直生长的增强剂，以便引发氮化镓特征的沉积和所述特征的各向异性生长及横向生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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