[发明专利]场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法有效
| 申请号： | 200480013708.5 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1791990A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 亚尔马·E·A·胡伊特马;巴尔特－亨德里克·胡伊斯曼 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L27/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造具有有机半导体的场效应晶体管的方法，特别是，具有互连结构的包括多个场效应晶体管的器件。这里，使用了用于四层的三个光刻掩模。为此，晶体管设置在顶栅结构中，并且有机半导体层(307)和电介质层(309)被一起结构化和图案化。可以从与场效应晶体管(300)或与第一和第二导体层(303、305、501)的交叉导体无关的区域除去半导体层(307)和电介质层(309)。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 布置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造电子器件的方法，在该方法中，在衬底(301)上设置至少一个场效应晶体管(300)，其中设置所述至少一个场效应晶体管包括以下步骤：在该衬底(301)上施加(201)图案化的第一导体层(303、305)；在该第一导体层(303、305)上施加(203)有机半导体层(307)；在该半导体层(307)上施加(205)电介质层(309)；对所述有机半导体层(307)和所述电介质层(309)一起进行图案化(207)；并且在经过图案化的电介质层(309)上施加(209)图案化的第二导体层(501)。
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