[发明专利]具有导热路径的微电子基片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200480012235.7 申请日: 2004-05-07
公开(公告)号: CN1784935A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 本尼·H·约翰逊 申请(专利权)人: 美锐公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘晓峰
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明说明具有导热路径的微电子基片。在一个实施例中,这种基片包括主体和导热元件。所述主体具有:第一表面,所述第一表面包括微电子元件安装位置;第二表面,所述第二表面与第一表面分开一个厚度;和开口,所述开口通过至少一部分厚度延伸。所述开口在第一和第二表面之一或二者上向外打开,并具有第一部分和第二部分,所述第一部分具有第一横向尺寸,所述第二部分具有较大的第二横向尺寸。所述导热元件具有接收于开口的第一部分中的第一厚度和接收于开口的第二部分中的第二厚度。导热元件的第二厚度的横向尺寸大于开口的第一横向尺寸。
搜索关键词: 具有 导热 路径 微电子 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种微电子基片,包括:主体,所述主体具有:第一表面,所述第一表面包括微电子元件安装位置,所述位置构造成接收微电子元件;第二表面,所述第二表面与第一表面分开一个厚度;和开口,所述开口延伸通过所述厚度的至少一部分并且在第一和第二表面之一或二者上向外打开,所述开口具有第一部分和第二部分,所述第一部分具有第一横向尺寸,所述第二部分具有较大的第二横向尺寸;导热元件,所述导热元件具有大于所述主体导热系数的导热系数,被接收于体中的开口的至少一部分中,所述导热元件具有被接收于开口的第一部分中的第一厚度和被接收于开口的第二部分的第二厚度,其中第二厚度的横向尺寸大于开口的第一横向尺寸。
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