[发明专利]用于表征光刻技术对晶片的影响的系统和方法无效
| 申请号： | 200480011590.2 | 申请日： | 2004-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1882883A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | D·兹格;S·钱 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王勇 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在制造半导体的过程中，通常需要表征线宽和线宽形状对成品率的影响。在一个实例实施例中，存在一种用于横跨衬底随机化曝光条件的方法(200)。该方法包括产生一随机数列表(210)。将随机数映射给曝光域(220)，形成随机数和相应曝光域的列表。根据随机数对该随机数和相应曝光域的列表分类(230)。为根据随机数分类的列表内的每个曝光域分配曝光剂量(240)。根据曝光域对列表分类(250)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表征 光刻 技术 晶片 影响 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有衬底的晶片的方法(200)，包括：为对衬底的曝光域随机分配数字(210，220)；使用随机分配数字(230，240)为各个曝光域分配曝光参数(250)；以及根据分配的曝光参数加工晶片(260)。
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