[发明专利]场致发射器件及其形成这种器件的方法无效

专利信息
申请号: 200480011329.2 申请日: 2004-04-26
公开(公告)号: CN1781173A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: H·M·维斯塞;M·A·维斯楚伦;T·J·文克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J1/304
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;梁永
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 场致发射器件(1)可以用于例如,在场致发射显示器(FED)中发射电子。场致发射端(40)用于在场致发射器件(1)中发射电子。在场致发射器件的运行中,电压施加在具有和场致发射端(40)电接触的第一电极(4)以及第二电极(34)之间以使得场致发射端(40)发射电子。为了形成场致发射端(40),液体材料层涂覆到具有第一电极(4)的衬底(2)上。用构图印模压印液体材料层并接着被固化以形成场致发射端结构(20)。导电薄膜(38)涂覆在场致发射端结构(20)上以形成具有和第一电极(4)电接触的场致发射端(40)。
搜索关键词: 发射 器件 及其 形成 这种 方法
【主权项】:
1、一种用于制造场致发射器件(1)的方法,包括步骤:在衬底(2)上设置导电层(4),在导电层(4)上设置液体材料层(6)使构图印模(8)和所述液体材料层(6)接合,用于压印液体材料的层(6)并在其中形成至少一个场致发射端结构(20),固化液体材料层(6),由此形成具有至少一个固化的场致发射端结构(20)的固化的、构图电介质层(6),和在所述至少一个固化的场致发射端结构(20)上形成导电薄膜(38)以使得它和导电层(4)电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480011329.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top