[发明专利]铁电体存储装置无效
| 申请号: | 200480011196.9 | 申请日: | 2004-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN1781191A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
| 发明(设计)人: | 平野博茂 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 岳耀锋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种铁电体存储装置(101),具有多个由存储单元晶体管和存储单元电容器构成的存储单元,其中,各存储单元电容器(101a)是由对各存储单元电容器每个都独立的下部电极(2),在该下部电极(2)上形成的铁电体层(3)以及在该铁电体层(3)上形成的由多个共同连接而形成平板电极的上部电极(4)构成的,上部电极的宽度小于铁电体层的宽度。在本发明涉及的铁电体存储装置中,通过使上部电极的宽度小于铁电体层的宽度,可以防止上部电极和下部电极之间的漏电,结果,可以在不导致上部电极和下部电极之间发生漏电的情况下缩小存储单元电容器的配置间隔,可以实现更小的存储单元尺寸。 | ||
| 搜索关键词: | 铁电体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种铁电体存储装置,具有多个由存储单元晶体管和存储单元电容器构成的存储单元,其特征在于:上述各存储单元电容器包括:经上述存储单元晶体管与位线连接的下部电极、在上述下部电极的上面形成的以上述下部电极的宽度方向作为其宽度方向的铁电体层、以及在上述铁电体层的上面形成的以上述下部电极的宽度方向作为其宽度方向的上部电极;上述各存储单元电容器的下部电极是对各存储单元电容器每个都独立的电极;上述各存储单元电容器的上部电极形成为多个存储单元电容器共用的平板电极;上述上部电极的宽度比上述铁电体层的宽度小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





