[发明专利]液滴排出装置、图案的形成方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 200480011134.8 | 申请日: | 2004-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN1781184A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
| 发明(设计)人: | 中村理;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;H01L21/3205;H01L29/786;H01L21/027;B05D1/26;B05C5/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;叶恺东 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在本发明中提供了一种能够对从液滴排出装置排出的液滴滴落至衬底后的位置控制进行改善的图案的制作方法。此外,提供一种能够对滴落后的液滴位置精度进行改善的液滴排出装置。进而,提供一种使用本发明的液滴排出装置的半导体装置的制造方法。本发明的特征在于:对从排出部排出的液滴或滴落液滴的衬底照射激光,控制液滴的滴落位置。通过本发明,不使用光刻工序便能够形成图案。 | ||
| 搜索关键词: | 排出 装置 图案 形成 方法 半导体 制造 | ||
【主权项】:
1.一种液滴排出装置,其特征在于,具有:排出液滴的单元;以及对从上述排出液滴的单元所排出的液滴进行改质的单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480011134.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种胡萝卜杂交种的生产及纯度鉴定方法
- 下一篇:一种蚂蚁油搽剂及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





