[发明专利]利用自升压技术来避免编程干扰的与非闪存有效
| 申请号： | 200480011084.3 | 申请日： | 2004-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1777960A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·W·卢茨;陈健;李严;东谷正彰 | 申请（专利权）人： | 桑迪斯克公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 以避免编程干扰的方式来编程非易失性半导体存储系统(或其它类型的存储系统)。在包括使用NAND结构的闪存系统的一个实施例中，通过在编程处理期间增加NAND串的源极端的沟道电位来避免编程干扰。一个示例性实施包括将电压(例如Vdd)施加于源极触点以及导通对应于被禁止的单元的NAND串的源极端选择晶体管。另一实施包括在施加编程电压之前将预充电电压施加于对应于被禁止的单元的NAND串的未被选择的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 升压 技术 避免 编程 干扰 闪存 | ||
【主权项】：
1、一种对存储系统编程的方法，包括步骤：提升一组存储元件的源极端沟道区的电压电位，所述存储元件组包括要被禁止的存储元件；将编程电压施加于被选择用于编程的存储元件和所述要被禁止的存储元件；和将通过电压施加于至少一个所述存储元件组的子集，除了所述升压步骤之外，执行所述施加通过电压的步骤。
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