[发明专利]控制或模型化化学气相渗透过程以利用碳来稠化多孔底物有效
申请号: | 200480010469.8 | 申请日: | 2004-04-27 |
公开(公告)号: | CN1777692A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | E·西翁;P-M·马凯尔;R·富尔内;G-M·科姆 | 申请(专利权)人: | 马塞尔-布加蒂股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/44;C04B35/83;G05B1/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 法国维利济*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及将装在烘箱中的要进行稠化的包括一个或多个多孔底物(10)的装料进行加热,向烘箱中充入包含至少一种碳-前体碳氢化合物的反应气相,通过连在所述烘箱上的排出管(27)将废气从烘箱中排出。测量废气中至少一种化合物的含量,所述的化合物选自丙二烯、丙炔或苯。根据由此测得的含量,通过调整以下至少一个参数来控制该方法,所述的参数为:引入到烘箱中的反应气相的流动速率,引入到烘箱中的气相的至少一种组分的流动速率;气相在烘箱中的停留时间;底物的加热温度和烘箱中的压力。对至少一个参数的调整方式是使测量的含量保持在基本恒定的值。这样才可将稠化过程模型化或进行实时控制。 | ||
搜索关键词: | 控制 模型 化化 学气相 渗透 过程 利用 碳来稠化 多孔 | ||
【主权项】:
1.一种对于通过化学气相渗滤利用热解碳来稠化至少一种多孔底物的过程进行控制或模型化的方法,所述的过程包括:将包含一个或多个要进行稠化的多孔底物负载放在烘箱中;加热该底物;将反应气引入烘箱中,该反应气包含至少一种碳-前体碳氢化合物;调整烘箱压力以使气体在加热的底物孔内扩散,从而在那里形成热解碳的沉淀物;通过连到烘箱出口的导出管将废气排出;本发明的特征在于,测量废气中至少一种化合物的含量,所述化合物选自丙二烯、丙炔或苯;和,作为测得的含量的函数,通过调整以下至少一个参数来控制该过程,所述的参数选自:引入到烘箱中的反应气的流动速率、引入到烘箱中的气体的至少一种组分的流动速率、气体通过烘箱的流经时间、底物加热到的温度或烘箱内存在的压力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的