[发明专利]衬托器和气相生长装置有效
| 申请号： | 200480010125.7 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1774794A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金谷晃一;大塚彻;大濑广树 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/458;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬托 和气 相生 装置 | ||
【主权项】：
1、一种衬托器，其中在半导体基板的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板在凹部中受到大致水平地支承，并且所述凹部包括用以支承半导体基板的外周侧凹部和形成在所述外周侧凹部内部且自所述外周侧凹部凹入的中央侧凹部，其中所述外周侧凹部包括基板支承表面，所述基板支承表面自凹部的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板的外周边缘内部的一部分半导体基板的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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