[发明专利]用于离子注入系统的离子束入射角度检测器有效
| 申请号： | 200480009348.1 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1771579A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | R·里斯;M·格拉夫;T·帕里尔;B·弗里尔 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外，本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 系统 离子束 入射 角度 检测器 | ||
【主权项】：
1、一种用于离子注入系统的离子束入射角度检测器，包括：具有从其中穿过的限定出孔的孔眼的结构，所述孔沿轴线延伸穿过所述结构且具有选择的纵横比，所述选择的纵横比根据所述离子束和所述结构之间的入射角度选择性地阻止所述离子束中的离子通过所述孔；和传感器机构，所述传感器机构被构造以接收通过所述结构中的所述孔的所述离子，所述传感器提供作为通过所述孔的所述带电离子的量的函数的信号。
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