[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板、光学元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200480008681.0 申请日: 2004-01-28
公开(公告)号: CN1768166A 公开(公告)日: 2006-05-03
发明(设计)人: 内田清志;坂下幸雄;大井户敦 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;G02F1/09
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;邹雪梅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备:基底基板(10),其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶;缓冲层(11a),其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜;以及保护层(11b),其至少在与基底基板(10)中结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面(10b)形成、且对于助熔剂稳定。使用该基板,能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。
搜索关键词: 磁性 石榴石 单晶膜 形成 用基板 光学 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.磁性石榴石单晶膜形成用基板,其为用于使得磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板,其特征在于具备:基底基板,其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶;缓冲层,其在所述基底基板中结晶培育面上形成、且包含对于所述助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜;以及保护层,其至少在与所述基底基板中所述结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面形成、且对于所述助熔剂稳定。
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