[发明专利]氮化铪沉积方法无效
| 申请号： | 200480008427.0 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1768159A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | C·梅慈耐;S·赫尔;Y·K·金;M·N·罗克利恩;S·M·乔治 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/34;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成高k介电层的方法，该方法包括：利用原子层沉积将一种铪化合物沉积到衬底上，包括，将一种铪前体发送至衬底的表面，使铪前体发生反应，生成含铪层，将一种氮前体发送至含铪层，生成至少一个氮铪键，并将铪化合物沉积到表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底表面形成含铪层的方法，顺序包括：a)将衬底表面暴露在铪前体下，在衬底表面形成含铪层；b)用清洗气清洗处理室；c)第二种前体与含铪层发生反应；d)用清洗气清洗处理室；e)第三种前体与含铪层发生反应；f)用清洗气清洗处理室；g)第四种前体与含铪层发生反应；和h)用清洗气清洗处理室。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
