[发明专利]信息记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200480007888.6 申请日: 2004-03-12
公开(公告)号: CN1764550A 公开(公告)日: 2006-04-26
发明(设计)人: 末永多惠子;儿岛理惠;西原孝史;山田升 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: B41M5/26 分类号: B41M5/26;G11B7/24;G11B7/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王玮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种信息记录介质,包括:可以利用光学装置或电装置在结晶相与非晶相之间可逆相变的记录层,其中记录层至少包括Ge,Te,M1(M1是从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu组成的组中选择的至少一种元素)、M2(M2是从Sb和Bi组成的组中选择的至少一种元素)和M3(M3是从Te和Bi组成的组中选择的至少一种元素)。
搜索关键词: 信息 记录 介质 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种信息记录介质,包括:能够利用光学装置或电装置在结晶相与非晶相之间可逆地相变的记录层;其中记录层至少包括Ge、Te、M1(M1是从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu组成的组中选择的至少一种元素)、M2(M2是从Sb和Bi组成的组中选择的至少一种元素)和M3(M3是从Te和Bi组成的组中选择的至少一种元素)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480007888.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top