[发明专利]储备式阴极无效
| 申请号： | 200480007122.8 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1830051A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 皮特·克鲁特;斯蒂恩·W·H·K·斯蒂恩布林克 | 申请（专利权）人： | 迈普尔平版印刷IP有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/28 | 分类号： | H01J1/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 荷兰代*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种储备式阴极，其包括发射表面，当被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔，和至少一个用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面的通道，所述发射表面包括至少一个发射区域和至少一个非发射区域，该非发射区域涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域，所述非发射区域包括至少一个通道，该通道连接所述储腔和所述非发射区域，并在距离发射区域扩散长度的范围内开口，以便允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。 | ||
| 搜索关键词： | 储备 阴极 | ||
【主权项】：
1.一种储备式阴极，其包括：-发射表面，其包括至少一个用于发射电子的发射区域和至少一个涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域的非发射区域。-被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔；和-至少一个通道，其连接所述储腔和所述发射表面，该通道用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面，所述至少一个通道在所述非发射区域开口，并在距离发射区域扩散长度范围内，以允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。
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