[发明专利]光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器有效
申请号: | 200480006534.X | 申请日: | 2004-03-10 |
公开(公告)号: | CN1759484A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 柴山胜己 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/12;H01L31/10;G01T1/20 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;邸万杰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种光电二极管阵列及其制造方法以及放射线检测器,其目的在于防止在封装时因光检测部的损伤而造成杂音的发生。本发明的光电二极管阵列,在n型硅基板(3)的被检测光的入射面侧,以阵列状形成多个光电二极管(4),且贯通入射面侧和其背面侧的贯通布线(8)针对光电二极管(4)来形成,其中:在其入射面侧,设置覆盖光电二极管(4)的形成区域并且透过被检测光的透明树脂膜(6),从而作成光电二极管阵列(1)。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 阵列 及其 制造 方法 放射线 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种光电二极管阵列,其特征在于:具备在被检测光的入射面侧以阵列状形成多个光电二极管的半导体基板,所述半导体基板的贯通所述入射面侧和其背面侧的贯通布线针对所述光电二极管来形成,在所述半导体基板的入射面侧,设置至少覆盖形成有所述光电二极管的区域并且透过所述被检测光的树脂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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