[发明专利]存储单元、使用该存储单元的存储器、存储单元制造方法和存储器记录/读取方法无效
申请号: | 200480006233.7 | 申请日: | 2004-03-31 |
公开(公告)号: | CN1759483A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 村上元良;后藤泰宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/22 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种存储单元及其制造方法,该存储单元具有完全不同于常规存储器的存储单元的结构,并具有各种优异的特性。通过使用该存储单元还提供一种具有各种优异特性的存储器。此外,提供一种用于在该存储器中记录信息和从该存储器读取信息的方法。该存储单元包括用于保存信息的存储介质、用于在存储介质中记录信息的控制部件、以及用于从存储介质读取信息的检测元件,其中检测元件独立于存储介质而设置。更具体地说,例如,存储介质是磁性器件,控制部件包括用于给磁性器件施加磁场以便改变磁性器件的磁化状态的第一磁场产生部件,并且检测元件设置在磁性器件附近,并具有磁电转换部件,该磁电转换部件的电特性根据磁性器件的磁化状态而变化。 | ||
搜索关键词: | 存储 单元 使用 存储器 制造 方法 记录 读取 | ||
【主权项】:
1、一种存储单元,包括:用于保存信息的存储介质,用于在该存储介质中记录信息的控制部件,和用于从该存储介质读取信息的检测元件,其中该检测元件独立于该存储介质而设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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