[发明专利]生产氢化碳氧化硅膜的方法有效
| 申请号： | 200480005345.0 | 申请日： | 2004-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1754252A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | M·J·罗伯达;B·K·黄 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 生产具有低介电常数的氢化碳氧化硅(H:SiOC)膜的方法。该方法包括使用等离子体辅助的聚合，使含有至少一个应变硅键的环状硅烷化合物反应以产生膜。所得膜可用于形成半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 氢化 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产氢化碳氧化硅膜的化学气相沉积方法，该方法包括：向含有基片的沉积腔室内引入含(i)含至少一种应变硅键的环状硅烷化合物和(ii)提供氧气的气体的反应性气体混合物，并在25℃-500℃的温度下，诱导环状硅烷化合物与提供氧气的气体之间的反应；其中在反应过程中存在控制量的氧气，以便在基片上提供介电常数范围为2.0-3.2的含氢、硅、碳和氧的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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