[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200480003582.3 申请日: 2004-09-06
公开(公告)号: CN1748306A 公开(公告)日: 2006-03-15
发明(设计)人: 北畠真;楠本修;内田正雄;高桥邦方;山下贤哉 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L25/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置,具备:包括使用了宽能带隙半导体的功率半导体元件的半导体芯片(61)、基材(62、63)、第1、第2中间构件(65、68a)、热传导构件(66)和散热片(67)、半导体芯片(61)、将第1、第2中间构件(65、68a)及热传导构件(66)密封的密封材(68)。基材(62、63)的各头端部成为外部连接端子(62a、63a)。第2中间构件(68a)由热传导率比第1中间构件(65)更低的材料构成,在与半导体芯片(61)的接触面积方面,第2中间构件(68a)的一方大于第1中间构件(65)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征是,具备:包括使用宽能带隙半导体而构成的功率半导体元件的半导体芯片、与所述半导体芯片的表面的一部分连接的由导电性材料制成的基材、与所述半导体芯片的表面的一部分接触的热传导构件、将所述半导体芯片及热传导构件密封的密封材,所述基材的一部分向所述密封材的外方突出而成为的外部连接端子。
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