[发明专利]在BOX两侧具有衬底接触部分的SOI结构及该结构的制造方法

摘要

本发明涉及用于使“绝缘体上的硅”的半导体晶片(SOI；10)的前侧面上单晶硅层(12)中的有源半导体结构(40)与背面的衬底(13)及其中设有的其它结构(13a)形成电连接(20)的装置及制造方法。该电连接穿过绝缘层(11)来实现。

主权项

1.在具有前侧面(V)及背面(R)的SOI半导体晶片上及该半导体晶片内制造集成电路的方法，其中在一个上面的半导体层(12)中的有源元件的一些第一结构(40，50，60)通过穿过一个绝缘层(11)被引导的电连接部分(20，22)与衬底(13)中的一些元件的第二结构(13a，13a’，13c)形成连接，具有以下步骤：-在一些确定的区域(13’，13”)中用高能量的离子从前侧面(V)穿过该半导体层(12)及该绝缘层(11)向该衬底(13)中进行离子注入(30，31)；-与被注入的离子类型(30，31)适配地进行温度处理，以活化被注入该衬底(13)中的离子；-至少部分地在该上面的、单晶结构的层(12)中制造这些第一结构(40，50，60)；-在该绝缘层(11)中产生至少一个、优选多个的穿透部分(19，21)；-在该绝缘层中用(导电的)金属填充(20；22)所述至少一个穿透部分(19，21)；-在这些有源的结构(40，50，60)的区域中制造一些各相互绝缘的金属化轨条(15，15’，15”)，它们使该上侧的这些第一结构与该衬底(13)中的这些第二结构通过在这些穿透部分中的金属填充物(20；22)形成电连接。