[发明专利]静电放电电路及其方法有效

专利信息
申请号: 200480002529.1 申请日: 2004-01-16
公开(公告)号: CN1742416A 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: 迈克尔·G·哈辛斯基;詹姆斯·W·米勒;迈克尔·斯托金格 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H02H1/04 分类号: H02H1/04;H02H3/00;H02H3/20;H02H3/22;H02H7/00;H02H9/00;H02H9/06;H01L23/62
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;关兆辉
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种ESD保护电路(81)和用于提供ESD保护的方法。在某些实施例中,会被ESD损坏的N沟道晶体管(24)被选择性地接通和进行传导。接通N沟道晶体管(24)的目的是使N沟道晶体管(24)的Vt1达到最大值。Vt1是在其上首次出现N沟道晶体管(24)的寄生双极动作的漏极-源极电压点。在某些实施例中,该ESD保护电路(81)包括二极管(64),其提供从I/O焊盘31到第一电源节点(76)的额外电流路径。
搜索关键词: 静电 放电 电路 及其 方法
【主权项】:
1.一种ESD电路,其包括:输出端子;晶体管,其具有第一电流电极、连接到第一电压供应源的第二电流电极和控制电极;第一电阻性元件,其具有连接到输出端子的第一端子,和连接到晶体管的第一电流电极的第二端子;和偏置电路,其被连接到晶体管的控制电极,其中,在ESD事件的至少百分之十的持续时间期间,该偏置电路施加电压给晶体管的控制电极,该电压近似等于设置在晶体管的第一电流电极和输出端子之间的电路节点上的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480002529.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top