[发明专利]应变硅工艺中的浅沟渠隔离工艺有效
| 申请号： | 200480002180.1 | 申请日： | 2004-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1739196A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | M·V·恩戈;相奇;P·R·贝赛尔;E·N·佩顿;林明仁 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用浅沟渠隔离(shallow trench isolation，STI)技术制造集成电路(integrated circuit，IC)的方法。该浅沟渠隔离技术用于应变硅(strained silicon，SMOS)工艺中。沟渠的衬垫(liner)是由用以减少锗的脱气(outgassing)的低温工艺中所沉积的沉积层而形成。该低温工艺可以是一种低压气相沉积法(LPCVD)。还可以在衬垫上执行退火(annealing)步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 工艺 中的 沟渠 隔离工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在含锗层的沟渠中形成衬垫的方法，该方法包括：选择性地蚀刻该含锗层以形成沟渠；以低温工艺在沟渠中提供一层绝缘材料；以及退火，以形成该衬垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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