[发明专利]碳化硅器件的边缘环形端接有效

专利信息
申请号: 200480002101.7 申请日: 2004-01-07
公开(公告)号: CN1745479A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 柳世衡;A·K·阿加沃尔 申请(专利权)人: 克里公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;王勇
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 碳化硅器件的边缘端接具有在碳化硅层中的多个同心浮动保护环,所述多个同心浮动保护环邻近碳化硅基半导体结但与其隔开。在浮动保护环上设置绝缘层,例如氧化物,并且在浮动保护环之间设置碳化硅表面电荷补偿区,所述碳化硅表面电荷补偿区邻近绝缘层。还提出了这种边缘端接的制造方法。
搜索关键词: 碳化硅 器件 边缘 环形 端接
【主权项】:
1.一种用于碳化硅半导体器件的边缘端接结构,它包括:碳化硅层中的多个彼此隔开的同心浮动保护环,它们至少部分包围碳化硅基半导体结;在所述浮动保护环上的绝缘层;以及在所述各浮动保护环之间并且邻近所述绝缘层的碳化硅表面电荷补偿区。
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