[发明专利]用于高迁移率器件的SiGe应变弛豫缓冲层及其制造方法有效
| 申请号： | 200480001996.2 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1723545A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·德鲁格尼;罗杰·陆;菲利普·缪尼尔－贝拉德;马蒂·凯迈克斯 | 申请（专利权）人： | 校际微电子中心;库恩克里克飞利浦电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括一半导体基片和处于其上的至少一薄应变弛豫缓冲层，薄应变弛豫缓冲层基本由三层的叠层组成，其特征在于，薄应变弛豫缓冲层不是半导体器件的有源部分，以及限定薄应变弛豫缓冲层的所述三层基本具有相同的恒定Ge浓度，所述三层是：第一外延层Si1－xGex，x为Ge的浓度，处于所述第一外延层上的第二外延层Si1－xGex：C，C的量至少为0.3％，处于所述第二层上的第三外延层Si1－xGex。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 迁移率 器件 sige 应变 缓冲 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括一半导体基片并且在其顶部至少有一薄应变弛豫缓冲层，该薄应变弛豫缓冲层基本上包括由三层构成的堆层，其特征在于，所述薄应变弛豫缓冲层不是所述半导体器件的有源部分，以及限定所述薄应变弛豫缓冲层的所述三层具有基本上恒定的Ge浓度，所述三层是：-第一外延层Si1-xGex，x为Ge的浓度，-在所述第一外延层上的第二外延层Si1-xGex：C，C的量至少为0.3％，-在所述第二层上的第三外延层Si1-xGex。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
