[发明专利]用于高效像素化聚合物电致发光器件的高电阻聚(3,4－亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐无效
| 申请号： | 200480001846.1 | 申请日： | 2004-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1723236A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | C·张 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C09D165/00;H01L51/30;H01B1/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于电致发光器件(例如OLED)的高电阻PEDT/PSS缓冲层。本发明另一个实例提供一种OLED，它包括高电阻PEDT/PSS缓冲层。本发明再一个实例研制一种降低由水溶液在基片上流延形成的PEDT/PSS层电导率的方法，包括在流延前将环醚助溶剂加入PEDT/PSS水溶液。在一个实例中，提供一种降低流延在基片上的PEDT/PSS层固有电导率的方法，从而使该材料能作为中间缓冲层用于红、绿、蓝有机发光二极管(RGB OLED)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高效 像素 聚合物 电致发光 器件 电阻 乙基 二氧 噻吩 聚苯乙烯 磺酸盐 | ||
【主权项】：
1.一种高电阻膜，它包括聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐和环醚助溶剂，电导率小于约1×10-5S/cm。
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