[发明专利]双向电源开关无效
| 申请号： | 200480001444.1 | 申请日： | 2004-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1735971A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 沈征;戴维·诺博鲁·奥卡达 | 申请（专利权）人： | 长城半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 由两个或更多的MOS管组成的半导体器件形成一个双向电源开关。该双向开关的一个实例由以下几部分组成：(a)一个具有上表面和下表面的半导体衬底；(b)在半导体衬底内紧邻上表面处具有第一种传导性的第一区；(c)在第一区内具有第二种传导性的第一和第二源区；(d)在第一区内，第一和第二源区之间，紧邻上表面处形成的具有第二种传导性的漏区；(e)连接第一源区的第一源镀层；(f)连接第二源区的第二源镀层；(g)高于上表面处，放置在第一和第二源之间的第一栅。此处，第一栅覆盖了第一源区和漏区的一部分；(h)高于上表面处，放置在第二源和第一栅之间的第二栅。此处，第二栅覆盖了第二源区和漏区的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 电源开关 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其包括：a、一个半导体衬底，具有上表面和下表面；b、具有第一种传导性的第一区，其在半导体衬底内紧邻所述的上表面处；c、具有第二种传导性的第一和第二源区，其在所述的第一区内；d、具有第二种传导性的漏区，在所述的第一区内、所述的第一和所述的第二源区之间、紧邻所述的上表面处形成；e、镀在以及连接所述第一源区的第一源；f、镀在以及连接所述第二源区的第二源；g、第一栅，位于所述上表面上方，在所述第一和所述第二源之间，其中，第一栅层迭在所述第一源区和所述漏区的一部分；h、第二栅，位于所述上表面上方，在所述第二源和所述第一栅之间。其中，第二栅层迭在所述第二源区和所述漏区的一部分。
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