[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III－V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d₁)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d₂、d₃)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d₁₂、d₂₂、d₂₃)。

主权项

1.一种半导体器件包括：一个基板；在所述基板上形成的半导体多层结构，该多层结构包括由III-V族n型复合半导体构成的一个发射极层，一个基极层和一个集电极层，所述基极层位于所述发射极层和所述集电极层之间；位于所述发射极层和所述基极层之间的量子点势垒层；分别连接到所述集电极层、基极层和发射极层的一个集电极电极、一个基极电极和一个发射极电极；其中，所述量子点势垒层包括多个量子点和第一、第二势垒层，第一、第二势垒层分别从所述发射极层一侧和所述基极层一侧夹着所述量子点，并且第一、第二势垒层由一半导体构成，该半导体的能带隙比构成所述量子点的半导体的能带隙大；每个量子点具有凸向所述基极层的凸出部分；在所述第二势垒层中基极层一侧的界面，在所述基极层中集电极层一侧的界面和在所述基极层中发射极层一侧的界面，每个界面具有凸向所述集电极层的弯曲部分，以与量子点的所述凸出部分相对应。