[发明专利]P型氮化物半导体结构以及双极晶体管无效
| 申请号： | 200480000279.8 | 申请日： | 2004-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1698210A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 牧本俊树;熊仓一英;小林直树 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 方挺;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种p型氮化物半导体结构，通过在加工损伤的p型氮化物半导体上再生长含In的p型氮化物半导体，可修复加工损伤，大幅度改善欧姆特性。此外，还提供了一种可显著改善电流增益并显著提高开启电压的p型氮化物半导体双极晶体管。在通过蚀刻处理的p型氮化物半导体(2)上形成含In的p型氮化物半导体层(8)。在具有p型氮化物半导体基极层的双极晶体管中，通过再生长，在通过蚀刻发射极层(1)而暴露的p型InGaN基极层(2)上形成含In的p型InGaN基极层(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 以及 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种p型氮化物半导体结构，其特征在于，在采用蚀刻加工的p型氮化物半导体上，设置有再生长的含铟的p型氮化物半导体层。
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