[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200480000273.0 | 申请日： | 2004-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1698184A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;上野昌纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物－基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物－基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜－沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜－沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜－沉积温度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氮化物-基半导体装置的方法，该氮化物-基半导体装置形成在半导体衬底上，该半导体衬底是一种包含第3B族元素和氮的化合物，所述第3B族元素适合于与氮形成化合物，这种氮化物半导体装置的制造方法包括如下步骤：将半导体衬底加热到膜-沉积温度，给衬底提供膜-沉积气体，该膜-沉积气体包含第3B族元素的源气体和氮源气体，在此半导体衬底上外延生长一种含有第3B族元素和氮的化合物薄膜；及在外延生长步骤之前，安排了将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，该预处理温度低于膜-沉积温度，以便清洁半导体衬底的正面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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