[实用新型]带有电容器和熔断层的半导体器件

摘要

电容器的上电极具有第一和第二上电极的两层结构。MOS场效应晶体管的栅电极和熔断层通过构图导电层形成，导电层用于形成电容器的下电极、第一上电极和第二上电极。在通过常规方法在衬底上形成电容器和熔断层的过程中，在连接线连接之前，至少三层蚀刻掩模被选择性地用于构图相应的层以形成电容器和熔断层。在制造具有电容器、熔断层和MOS场效应晶体管的半导体器件的过程中，可以减少蚀刻掩模的数目，以减少处理工序的数目，并且使得改善生产率和降低制造成本变得容易。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于，该器件包括：半导体衬底，其具有分别形成于该半导体衬底的一个表面上的元件隔离绝缘膜和用于MOS场效应晶体管的栅极绝缘膜；形成于该元件隔离绝缘膜上的电容器，该电容器具有按顺序将下电极、电容器绝缘膜和上电极叠置在该元件隔离绝缘膜上的叠层结构，并且该上电极包括形成于该电容器绝缘膜上并由与该下电极的材料相同的材料制成的第一上电极、和形成于该第一上电极上并由与该第一上电极的材料不同的材料制成的第二上电极；具有形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极的MOS场效应晶体管，该栅极电极包括由与该下电极的材料相同的材料制成的第一栅电极和形成于该第一栅电极上并由与该第二上电极的材料相同的材料制成的第二栅极电极，该第一栅极电极的厚度大致等于该下电极的厚度，该第二栅极电极的厚度大致等于该第二上电极的厚度；以及形成于该元件隔离绝缘膜上的第一熔断层，该第一熔断层包括由与该下电极的材料相同的材料制成的第一可熔断层和形成于该第一可熔断层上并由与该第二上电极的材料相同的材料制成的第二可熔断层，该第一可熔断层的厚度大致等于该下电极的厚度，该第二可熔断层的厚度大致等于该第二上电极的厚度。