[实用新型]双层对叠高亮度半导体激光器组件无效
| 申请号： | 200420114217.7 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN2751474Y | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 方祖捷;陈高庭;瞿荣辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海光通信发展股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双层对叠高亮度半导体激光器组件，其特征在于它是由第一半导体激光器芯片和第二半导体激光器芯片的P面相对放置，用焊料键合而成的叠层器件。本实用新型提高了半导体激光器的总体亮度；使用方便、灵活；成本低，性价比高。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 亮度 半导体激光器 组件 | ||
【主权项】：
1、一种双层对叠高亮度半导体激光器组件，其特征在于它是由第一半导体激光器芯片(4a)和第二半导体激光器芯片(4b)的P面相对放置，用焊料键合而成的叠层器件。
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