[实用新型]碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片无效
申请号: | 200420114090.9 | 申请日: | 2004-12-13 |
公开(公告)号: | CN2760760Y | 公开(公告)日: | 2006-02-22 |
发明(设计)人: | 朱龙源;李向阳;宋润秋;刘诗嘉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;G01J1/02 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片,包括:衬底,通过环氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片,与环氧胶接触的碲镉汞片表面有一下钝化层,碲镉汞片的中间为光敏元,二侧为电极区,其特征在于:在碲镉汞片裸露的侧面覆盖有一侧面钝化层。由于有了侧面钝化层,探测器的电阻、响应率、探测率、噪声等指标明显优于无侧面钝化层的探测器。 | ||
搜索关键词: | 碲镉汞 红外 光电 探测器 微小 光敏 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片,包括:衬底(1),通过环氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片(3),与环氧胶接触的碲镉汞片表面有一下钝化层(2),碲镉汞片的中间为光敏元区,二侧为电极区,光敏元区上有一上钝化层(4),在电极区上有一铟金电极层(5),其特征在于:在碲镉汞片(3)裸露的侧面覆盖有一侧面钝化层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的