[实用新型]一种具有特殊结构的四元红黄发光二极管芯片无效
| 申请号: | 200420110851.3 | 申请日: | 2004-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN2749055Y | 公开(公告)日: | 2005-12-28 |
| 发明(设计)人: | 顾海军;谢雪茹;唐国庆;俞振中 | 申请(专利权)人: | 上海金桥大晨光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李湘 |
| 地址: | 201206上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种四元红黄发光二极管(LED)芯片,包含GaAs衬底、覆盖在所述GaAs衬底上的InGaAlP外延层和覆盖在所述InGaAlP外延层上的窗口层,所述InGaAlP外延层内形成有pn结,其中,所述GaAs衬底包含至少一个镂空区域。上述四元红黄发光二极管芯片仍然保持了原先的外延层结构,因此不存在芯片受损等因素,而且由于未完全去除GaAs衬底,所以外延片的强度增加,有利于防止生产过程中出现碎片现象。此外,背面GaAs有一部分被去除,所以背面也会出光或反射光线,从而提高了出光效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 特殊 结构 四元红黄 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
1、一种四元红黄发光二极管芯片,包含GaAs衬底、覆盖在所述GaAs衬底上的InGaAlP外延层和覆盖在所述InGaAlP外延层上的窗口层,所述InGaAlP外延层内形成有pn结,其特征在于,所述GaAs衬底包含至少一个镂空区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海金桥大晨光电科技有限公司,未经上海金桥大晨光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200420110851.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:腹腔镜手术用腹膜外间隙分离器
- 下一篇:塔和容器用格栅规整填料





