[实用新型]高对称性小型高差压传感器无效
申请号: | 200420108151.0 | 申请日: | 2004-09-29 |
公开(公告)号: | CN2754076Y | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 孙海玮;陈信琦;牛军;刘宏伟;徐淑霞;郭丽娟;刘沁;刘波 | 申请(专利权)人: | 沈阳仪表科学研究院 |
主分类号: | G01L13/06 | 分类号: | G01L13/06;G01L9/06;G01L1/18;G01L1/22 |
代理公司: | 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人: | 崔红梅 |
地址: | 110043辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 高对称性小型高差压传感器,包括壳体23上部的电磁兼容器21、接插件25,将外壳23焊于底座9上,其特征在于:壳体23内是将两个相同的绝压式双芯体扩散硅芯片11与各自的转换件14焊接一起,对称置于底座9上,被测管27的接口1与引压口L、H相通,信号处理放大板19、20固定在转换件14上;传感器的两块补偿板16分别与带有镀金可伐丝基座12和两层放大板19、20连接;放大板20的引线经电磁兼容器21引出。其性能:精度±0.2%F.S、测量范围(双向测量):-60MPa~60MPa,工作温度范围-45℃~+125℃,传感器激励电源12VDC±0.2VDC,输出信号:-4.5VDC~+4.5VDC。 | ||
搜索关键词: | 对称性 小型 高差 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种高对称性小型高差压传感器,包括壳体(23)上部的电磁兼容器(21)、接插件(25),将外壳(23)焊于底座(9)上,其特征在于:壳体(23)内是将两个相同的绝压式双芯体扩散硅芯片(11)与各自的转换件(14)焊接一起,对称置于底座(9)上,接口(1)、(7)与引压口(L)、(H)相通,信号处理放大线路板(19)、(20)固定在转换件(14)上;传感器的两块补偿板(16)分别与带有镀金可伐丝基座和两层放大板(19)、(20)连接;放大板(20)的引线经电磁兼容器(21)引出。
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