[实用新型]受磁场偏转的场发射电子源器件无效

专利信息
申请号: 200420098844.6 申请日: 2004-11-11
公开(公告)号: CN2760749Y 公开(公告)日: 2006-02-22
发明(设计)人: 元光 申请(专利权)人: 中国海洋大学
主分类号: H01J37/06 分类号: H01J37/06;H01J3/02
代理公司: 青岛海昊知识产权事务所有限公司 代理人: 张中南
地址: 266003山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种受磁场偏转的场发射电子源器件。它包括基板表面上的电极,及其有间距的相互平行或相对的阳极并被外玻壳包容固定在真空容器内,其特征是基板表面上有一磁性薄膜层,且磁化方向与电子运动方向不平行。还可在磁性薄膜上再沉积一层绝缘材料制成的绝缘层。也可在上述绝缘层上沉积一散射层。或在基板上沉积有的磁性薄膜表面,再分别沉积有绝缘层、阴极和栅极,并且阴极与栅极之间的绝缘层部分为真空。由此构筑的本实用新型驱动电压低,可受磁场控制,工艺简单,通过替代以往的热电子源,可以省去热电子源的加热部分,从而降低功耗。
搜索关键词: 磁场 偏转 发射 电子 器件
【主权项】:
1一种受磁场偏转的场发射电子源器件,它包括基板(6)表面上的表面电极,及其有间距且相互平行或相对的阳极(1)并被外玻壳(8)包容固定在真空容器内,其特征是基板(6)表面上有一磁性薄膜(5)层,且磁化方向与电子运动方向不平行。
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