[实用新型]一种大功率半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种大功率半导体器件，在引线引出结构上取消了压接片，采用搭接引出方式，如采用超声波压焊工艺，在同样面积的半导体晶体表面上比压接连接的电接触点数量可以大大提高，电接触稳定可靠，电流分布均匀，电阻阻值小，自身功耗低，发热低，导电性能大大提高；在此基础上，半导体器件引脚可以制造成一体或烧结、焊接为一体，不需通过紧固结构引出，因此可以不需要作为压接连接方式必备的紧固结构，器件体积大大缩小，使用更方便，制造、使用成本降低。

主权项

1、一种大功率半导体器件，包括底座(1)、半导体晶体(2)，所述半导体晶体包括至少第一电极(51)、第二电极(52)，所述半导体晶体的第一电极与所述底座电结合，形成第一引出端(11)，还包括用于引出所述第二电极的第二引出端(22)，其特征是：还包括搭接件(6)，所述搭接件搭接于所述半导体晶体的第二电极表面与所述第二引出端(22)之间，用于二者的电导通。