[实用新型]存储电容无效
| 申请号： | 200420088211.7 | 申请日： | 2004-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN2735379Y | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 赖建廷;彭家鹏;陈永昌 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一存储电容包括一第一电极、一设置在该第一电极上的第一绝缘层、一设置在第一绝缘层上的第二电极、一设置在第二电极上的第二绝缘层、一设置在第二绝缘层上的第三电极，且该第三电极与第一电极电性连接。该第一电极与第二电极提供一电容，第二电极与第三电极提供另一电容，且该两电容大致并行电连接，因此，该存储电容的电容值为该两电容的电容值之和。采用该存储电容结构的液晶显示器可获较大开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电容 | ||
【主权项】：
1.一种存储电容，其包括一第一电极、一设置在该第一电极上的第一绝缘层和一设置在第一绝缘层上的第二电极，其特征在于：该存储电容进一步包括一设置在该第二电极上的第二绝缘层和一设置在第二绝缘层上的第三电极，且该第三电极与第一电极电连接。
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